O SSD NTC NVMe/PCIe (Solid State Drive) é um dispositivo de armazenamento de alto desempenho e alta confiabilidade, baseado na tecnologia NAND Flash que foi projetado para resolver o gargalo do sistema de computação por discos rígidos tradicionais.
Esta Unidade de Disco possui Capacidade de Armazenamento de 256GB e conta com Velocidades de Leitura de até 1600MB/s e Velocidade de Gravação de até 800MB/s
O SSD NTC consiste puramente em dispositivos semicondutores e memórias flash NAND, sem partes móveis. Ele oferece recursos robustos contra choque e vibração, usados em ambientes extremos, como PC industrial, para aumentar o MTBF. Além disso, nosso SSD possui algoritmo de gerenciamento de memória flash altamente avançado para garantir maior desempenho e integridade dos dados.
Confiabilidade:
- Resistência de gravação: 8 anos @ 100G gravação / dia (120G)
- Resistência de leitura: ilimitada
- MTBF: > 2.000.000 horas
- Retenção de dados: >20 anos @ 25?
- Destruição de dados: Não suportado
- Suporte de recuperação de desligamento repentino
- S.M.A.R.T, NCQ, Trim e suporte de gerenciamento dinâmico de energia
- Nivelamento de desgaste estático e dinâmico
- Algoritmo de gerenciamento de bad block
- ECC: LDPC ECC
Especificações
Especificações
Desempenho
As imagens apresentadas são meramente ilustrativas e podem variar de acordo com o lote do fabricante.
O SSD NTC NVMe/PCIe (Solid State Drive) é um dispositivo de armazenamento de alto desempenho e alta confiabilidade, baseado na tecnologia NAND Flash que foi projetado para resolver o gargalo do sistema de computação por discos rígidos tradicionais.
Esta Unidade de Disco possui Capacidade de Armazenamento de 256GB e conta com Velocidades de Leitura de até 1600MB/s e Velocidade de Gravação de até 800MB/s
O SSD NTC consiste puramente em dispositivos semicondutores e memórias flash NAND, sem partes móveis. Ele oferece recursos robustos contra choque e vibração, usados em ambientes extremos, como PC industrial, para aumentar o MTBF. Além disso, nosso SSD possui algoritmo de gerenciamento de memória flash altamente avançado para garantir maior desempenho e integridade dos dados.
Confiabilidade:
- Resistência de gravação: 8 anos @ 100G gravação / dia (120G)
- Resistência de leitura: ilimitada
- MTBF: > 2.000.000 horas
- Retenção de dados: >20 anos @ 25?
- Destruição de dados: Não suportado
- Suporte de recuperação de desligamento repentino
- S.M.A.R.T, NCQ, Trim e suporte de gerenciamento dinâmico de energia
- Nivelamento de desgaste estático e dinâmico
- Algoritmo de gerenciamento de bad block
- ECC: LDPC ECC
Especificações
Especificações
Desempenho
As imagens apresentadas são meramente ilustrativas e podem variar de acordo com o lote do fabricante.

